该案列来于华东地地开家小型半导体设备手工制造单位，基本产出制造集成化三极管基带芯片。在产出制造历程中，晶圆洗涤、蚀刻等程序需采用一大批电子厂级磷酸（溶解度≥85%），从呈现高密度含磷焦化废水。单位以往治理 配套设施不能要求急剧严谨的排放出标准单位（TP≤0.5mg/L），急要自动升级创新。 电镀废水成份及来源于 焦化电镀工业废污水重点渠道于二个关键环节：晶圆擦拭焦化电镀工业废污水（占总的水量60%）、仪器消毒焦化电镀工业废污水（30%）及其地板消毒焦化电镀工业废污水（10%）。饮用水特征英文表面为：pH值1.5-2.5，总磷渗透压800-1200mg/L，氟正离子成分50-80mg/L，COD约200-300mg/L，并有少量血本属（铜、锌等）。 进行处理工艺技术流程图 工作主要包括"预整理+化学物质沉垫+最高级脱色+长度筛选"的整合艺： 控制池 ：稳定水质监测方案排水量，要设pH在线视频监测方案模式 1级反映池 ：添加制作石灰乳调控pH至8.5-9.0，转变成Ca3(PO4)2凝固 两级作用池 ：加入PAC和PAM提高斜板沉淀池疗效 斜板沉垫池 ：达成固液破乳，污泥处理入驻脱水过滤操作系统 Fenton空气氧化单无 ：H2O2与Fe²⁺携手用处生物降解生物碳物 多媒介筛选器 ：石英砂砂+活性氧炭结构过滤水，确定喷水纯净 阳离子交互系统性 ：进两步弄掉残留物合金金属铝离子 结果是成果 机系统程序行驶维持后，溢水水体质量：总磷≤0.3mg/L，COD≤30mg/L，氟正离子≤5mg/L，相关评价指标强于《光学工业化的水影响物排出规范》（GB 39731-2020）。年避免磷排出约15吨，厌氧颗粒污泥行成量较传统艺术工艺设备调低40%，程序行驶人工成本有效控制在8.十元/吨水。